Infineon IRG4BC20SD-SPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
$ 1.11
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRG4BC20SD-SPBF.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 16 ans
Datasheet11 pagesIl y a 16 ans

Newark

DigiKey

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+0.00%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IRG4BC20SD-SPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Pièces détachées

IRG4BC20KD-S Series 600 V 9 A N-Channel UltraFast IGBT - D2PAK-3
IGBT 600V 16A 60W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC10SD-SPBF, IGBT Transistor, 14 A 600 V, 1kHz, 3-Pin D2PAK
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB7H60DF
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IRG4BC20SD-SPBF fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
STANDARD SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:1.6V; Power Dissipation:60W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:38A; No. of Pins:3; Power, Pd:60W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall Max:730ns; Time, Rise:35ns; Transistors, No. of:1

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRG4BC20SD-S
  • IRG4BC20SDSPBF
  • SP001535652