Infineon IRFZ46NLPBF
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Stock
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62,318
Authorized Distributors
3
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
39 A
39 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
16.5 mΩ
16.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
107 W
Input Capacitance
1.696 nF
1.696 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFZ46NLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;TO-262;PD 107W;VGS +/-20V
Single N-Channel 55 V 16.5 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 55V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262
3.8W(Ta)，107W(Tc) 20V 4V@ 250µA 72nC@ 10 V 1individualNChannel 55V 16.5mΩ@ 28A,10V 53A 1.696nF@25V TO-262 Through hole mounting 6.5mm*6.22mm*2.3mm
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:53A; On Resistance, Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Current Rating53 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.696 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance16.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max16.5 mΩ
Rise Time76 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité