Infineon IRFZ46NLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.0165 Ohm; Id 53A; TO-262; Pd 107W; Vgs +/-20V
$ 0.654
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRFZ46NLPBF3 730
10h
RS (Formerly Allied Electronics)IRFZ46NLPBF0700Bulk
3h
FarnellIRFZ46NLPBF01
10h
Mouser942-IRFZ46NLPBF7291Tube
Microchip USAIRFZ46NL302600Tube
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFZ46NLPBF.

IHS

Datasheet12 pagesIl y a 22 ans
Datasheet11 pagesIl y a 22 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRFZ46NLPBF
InfineonAUIRFZ46NL
Price @ 1000
$ 0.654
$ 2.37
Stock
496,239
56,950
Authorized Distributors
4
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262
TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
39 A
39 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
16.5 mΩ
16.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
107 W
Input Capacitance
1.696 nF
1.696 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonIRFZ44NLPBF
Single N-Channel 55 V 17.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Détails
InfineonIRFZ44ZLPBF
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Détails
InfineonIRFSL3806PBF
Single N-Channel 60 V 15.8 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFZ46NLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0165Ohm;ID 53A;TO-262;PD 107W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55 V 16.5 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 55V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:53A; On Resistance, Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Images

Infineon
TME
Newark
Rochester Electronics
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFZ46NL
  • SP001557896