Infineon IRFZ44ZPBF
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Pièces de rechange
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Stock
408,274
67,829
Authorized Distributors
4
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
1.42 nF
1.42 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-07-27
LTD Date2013-01-27
Pièces détachées
InfineonIRFZ44NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;TO-220AB;PD 94W;-55deg
InfineonIRFZ46NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 53A;TO-220AB;PD 107W;-55de
InfineonIRLZ44ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 80W;VGS +/-1
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFZ44ZPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11.1 Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 80W;-55deg
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 80 W
Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, N, 55V, 51A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):13.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:51A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.87°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:13.9ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:80W; Power Dissipation Pd:80W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.9 mΩ
Recovery Time35 ns
Resistance13.9 Ω
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité