Infineon IRFU3607PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFU2405PBF
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFU3607PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, N Ch., 75V, 80A, 9.0 MOHM, 51 NC QG, I-PAK, Pb-Free
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-251AA
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:56A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:310A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.07 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 mΩ
Recovery Time50 ns
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.7056 mm
Width2.3876 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité