Infineon IRFS4010PBF
$ 4.33
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFS4010PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 4.33
$ 1.33
$ 1.33
Stock
112,262
799,814
799,814
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
180 A
Threshold Voltage
4 V
-
-
Rds On Max
4.7 mΩ
4.7 mΩ
4.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
375 W
Input Capacitance
9.575 nF
9.575 nF
9.575 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Pièces détachées
InfineonIRFS4010TRLPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
InfineonIRFS4010TRRPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiFDB035N10A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 214 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
onsemiFDB024N08BL7
Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4010PBF fournies par ses distributeurs.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET, 100V, 180A, 4.7MOHM, 143NC QG, D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:180A; On Resistance, Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:3-D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N-CH, 100V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:9575pF; Current Id Max:180A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:720A; Reverse Recovery Time trr Typ:72ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.575 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max4.7 mΩ
Resistance4.7 MΩ
Reverse Recovery Time72 ns
Rise Time86 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité