Infineon IRFR9120NTRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.48 Ohm; Id -6.6A; D-pak (TO-252AA); Pd 40W
$ 0.496
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-02-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXMN10A11KTC
ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRFR120ZPBF
Single N-Channel 100 V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 10A, 165mΩ
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR9120NTRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
Single P-Channel 100 V 40 W 27 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:6.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:40W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF.
MOSFET, P CH, 100V, 6.6A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.48ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:40W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6.6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 480 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 31 / Rise Time ns = 47 / Turn-OFF Delay Time ns = 28 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 40

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR9120NTRPBF.
  • SP001557182