Diodes Inc. ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
$ 0.402
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKeyZXMN10A11KTCDITR-ND2 5002500Tape & Reel
TME
2
ZXMN10A11KTC01
10h
AvnetZXMN10A11KTC02500
2d
Future ElectronicsZXMN10A11KTC02500Tape & Reel
RS (Formerly Allied Electronics)ZXMN10A11KTC050Bulk
14h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 19 ans

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-13.60%
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXMP10A17KTC
Mosfet, P-Ch, 100V, 2.4A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
Détails
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Détails
InfineonIRFR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Détails
InfineonIRFR120ZPBF
Single N-Channel 100 V 190 mOhm 6.9 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
Diodes Inc.ZXMN7A11KTC
Mosfet, N-Ch, 70V, 6.1A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN7A11KTC
Détails
onsemiFDD1600N10ALZ
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. ZXMN10A11KTC fournies par ses distributeurs.

ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Avnet
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET, N, 100V, D-PAK ;ROHS COMPLIANT: YES
Newark
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
2.11W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 5.4nC@ 10 V 1N 100V 350m¦¸@ 2.6A,10V 2.4A 274pF@50V TO-252-3 6.73mm*6.22mm*2.39mm
UnikeyIC
MOSFET N-CHANNEL 100V 3.5A DPAK
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipa
element14 APAC
MOSFET, N, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:N; Max Current Id:3.5A; Max Voltage Vds:100V; On State Resistance:0.35ohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:4.06W; Operating Temperature Range:-55ºC to +150ºC; Transistor Case Style:D-PAK; Case Style:DPAK; Cont Current Id:3.5A; Termination Type:SMD; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:100V; Typ Voltage Vgs th:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Farnell

Images

TME
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated