Infineon IRFR3709ZTRLPBF
$ 0.4
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFR3709ZTRLPBF | 3 000 | 1d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFR3709ZTRLPBF | 0 | 3K | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRFR3709ZTRLPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 23h | |||||||
| Mouser | 942-IRFR3709ZTRLPBF | 136 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | IRFR3709ZTRLPBF | 1 815 | 600 | Tray | 18h |
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Tendance sur 3 mois : -14.12%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Pièces détachées
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
onsemiNTD80N02T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFR3709ZTRLPBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
N CHANNEL MOSFET, 30V, 86A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating86 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance6.5 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation79 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité