onsemi FDD8876
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
onsemiNTD80N02T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
onsemiNTD4858NAT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.2A Ta 73A Tc 13.6A 2W 25V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD8876 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 73A, 8.2mΩ
Transistor, mosfet, n-Channel,30V V(Br)Dss,15A I(D),to-252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD8876
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating73 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time91 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité