Infineon IRFR2607ZPBF
$ 0.65
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFR2607ZPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.65
$ 0.701
Stock
40,040
465,089
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
1.44 nF
1.44 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIPD088N06N3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFR2607ZPBF fournies par ses distributeurs.
INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 17.6 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55de
Single N-Channel 75 V 22 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
MOSFET, IPS, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Base Number:2607; Current Id Max:42A; Current Idss Max:250mA; Current Idss Min:20mA; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:80A; Storage Temperature Max:175°C; Storage Temperature Min:-55°C; Termination Type:SMD; Turn Off Time:39ns; Turn On Time:14ns; Voltage Vds:75V; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance22 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation110 W
Resistance22 MΩ
Rise Time59 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité