Infineon IPD079N06L3GBTMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V
$ 0.438
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPD079N06L3GBTMA122 500
11h
Farnell
2
IPD079N06L3GBTMA101Cut Tape
11h
VericalIPD079N06L3GBTMA122 500632
Component Stockers USAIPD079N06L3GBTMA1621
2d
Win SourceWS-IPD079N06L3GBTMA112 03032
12h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD079N06L3GBTMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

Newark

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+80.00%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD079N06L3GBTMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-12-31
LTD Date2022-06-30

Pièces détachées

InfineonIPD088N06N3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Détails
STMicroelectronicsSTD30NF06LT4
N-Channel 60V - 0.022Ohm - 35A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Détails
onsemiFDD20AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mΩ
Détails
onsemiFDD5810
TRANS MOSFET N-CH 60V 7.7A 3PIN DPAK
Détails
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Détails
InfineonIPD127N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD079N06L3GBTMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V
Epart123
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0063ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252- 3; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD079N06L3GBTMA1
Newark

Images

TME
element14 APAC
RS
Farnell
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000453626