Infineon IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DPBF N-channel MOSFET Transistor; 17 A; 200 V; 3-Pin DPAK
$ 0.646
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRFR15N20DTRPBF1 2771Cut Tape
RutronikTMOSP1226332 0002K
11h
Rochester ElectronicsIRFR15N20DTRPBF121
4h
Arrow Electronics
3
IRFR15N20DTRPBF4 3001
DigiKey
3
IRFR15N20DTRPBFCT-ND10 3931Cut Tape

Fiches techniques et documents

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TME

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans

IHS

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR18N15DTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Détails
InfineonIRFR18N15DPBF
Single N-Channel 150 V 0.125 Ohm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
InfineonIRFR13N20DPBF
Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
onsemiFDD120AN15A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Détails
onsemiFDD120AN15A0-F085
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Détails
onsemiFDD2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR15N20DTRPBF fournies par ses distributeurs.

IRFR15N20DPBF N-channel MOSFET Transistor; 17 A; 200 V; 3-Pin DPAK
SHENGYU ELECTRONICS
Single N-Channel 200V 165 mOhm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-263 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 140 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5.5V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR15N20DTRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Images

Infineon
Newark
element14 APAC
Distrelec
TME
iiiC
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR15N20DTRPBF.
  • SP001555046