Infineon IRFR13N20DTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.235 Ohm; Id 13A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFR13N20DTRPBF02KBulk
13h
Farnell
2
IRFR13N20DTRPBF01Cut Tape
20h
Win SourceWS-IRFR13N20DTRPBF1 32060
21h
Worldway ElectronicsIRFR13N20DTRPBF18 8467Tape & Reel
1d
UnikeyICIRFR13N20DTRPBF2 00010Tape & Reel
3h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans
Datasheet12 pagesIl y a 21 ans

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

iiiC

DigiKey

Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRFR13N20DTRPBF
InfineonIRFR13N20DPBF
Price @ 1000
$ 1.08
Stock
298,272
124,858
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
Threshold Voltage
-
5.5 V
Rds On Max
235 mΩ
235 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
830 pF
830 pF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30

Pièces détachées

InfineonIRFR13N15DTRPBF
Single N-Channel 150V 0.18 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
InfineonIRFR13N15DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 14A;D-Pak (TO-252AA);PD 86W
Détails
onsemiHUF75925D3ST
MOSFET N-CH 200V 11A DPAK
Détails
InfineonIRFR6215PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.295Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR13N20DTRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.235Ohm;ID 13A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):235mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Infineon

Images

Infineon
Newark
element14 APAC
TME
iiiC
Future Electronics
LCSC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR13N20DTRPBF.
  • SP001567488