Infineon IRFP250MPBF

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
$ 1.084
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
91Y4707771
2d
NewarkIRFP250MPBF7 8961
DigiKeyIRFP250MPBF-ND2 7541Tube
Future Electronics
2
IRFP250MPBF025Tube
RS (Formerly Allied Electronics)IRFP250MPBF05Bulk
13h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 16 ans

Newark

TME

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFP250NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 30A;TO-247AC;PD 214W;VGS +/-20V
Détails
VishayIRFP240PBF
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails
InfineonIRFP150NPBF
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Détails
InfineonIRFP140NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
Détails
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Détails
VishayIRFP9240PBF
Single P-Channel 200 V 0.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFP250MPBF fournies par ses distributeurs.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 75 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
IHS
MOSFET, N-CH, 200V, 30A, TO-247AC-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V;
Farnell
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 43 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247AD / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 214
Distrelec

Images

Infineon
Augswan
Newark
Newark
Farnell
TME
RS
Rochester Electronics
Micros
Distrelec
International Rectifier
LCSC
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFP250M
  • SP001566168