Infineon IRFB7537PBF

N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB
$ 0.792
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRFB7537PBF1 0001
1d
NewarkIRFB7537PBF3 5221
Arrow Electronics
3
IRFB7537PBF1 0091
Future Electronics
2
IRFB7537PBF51 00050Tube
RutronikTMOSP1214710050
15h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFB7537PBF.

IHS

Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFB7534PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220 package, TO220-3, RoHS
Détails
InfineonIRFB3206PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
Détails
InfineonIRFB3207ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
NXP SemiconductorsBUK7506-55B,127
Trans MOSFET N-CH 55V 145A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFB7537PBF fournies par ses distributeurs.

N Channel 60 V 3.3 mO 230 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB
Future Electronics
MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Win Source
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 TO-220 封装, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W
Distrelec
MOSFET, 60V, 173A, 3.3 MOHM, 142 NC QG, TO-220AB
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 173A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.
Farnell
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
SHENGYU ELECTRONICS
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

Infineon
TME
Farnell
Distrelec
Conrad
Micros
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
element14 APAC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFB7537
  • SP001570828