Infineon IRFB5620PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF640NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V
InfineonIRFB4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFB5620PBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 200 V 72.5 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.0725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, CLASS D, 200V, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:144W; Power Dissipation Pd:144W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance72.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance72.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation144 W
Rds On Max72.5 mΩ
Resistance72.5 MΩ
Rise Time14.6 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time17.1 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité