Infineon IRF3315PBF
$ 0.49
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF3315PBF | 244 | 1 | Bulk | 8h | |||||||
| Farnell | IRF3315PBF | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Microchip USA | IRF3315 | 240 | 600 | Tube | 9h | |||||||
| Win Source | WS-IRF3315 | 20 | 40 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF3315 | 19 413 | 7 | Tube | 15h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -21.96%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRF3315PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Pièces détachées
InfineonIRFB4019PBF
150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF6218PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 120 Milliohms;ID -27A;TO-220AB;PD 250W
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3315PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 0.082 Ohm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A) | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 150V, 21A, 70 mOhm, 63.3 nC Qg, TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 136 W
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 150V, 21A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:136W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:27A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.6°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:136W; Power Dissipation Pd:136W; Pulse Current Idm:108A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -21.96%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance70 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation94 W
Rds On Max70 mΩ
Recovery Time260 ns
Resistance82 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité