Infineon IRFB4115PBF

Single N-Channel 150V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
$ 1.04
Production
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.04
$ 7.08
Stock
1,193,248
63,616
Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
104 A
104 A
Threshold Voltage
5 V
-
Rds On Max
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
380 W
380 W
Input Capacitance
5.27 nF
5.27 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginTaiwan, USA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFB4115GPBF
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
onsemiFDP2532
Transistor MOSFET N Channel 150 Volt 8 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220AB Tube
InfineonIRFB4321PBF
IRFB4321PBF N-channel MOSFET Transistor, 85 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB
InfineonIRFB4228PBF
150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
onsemiFDP2572
Trans MOSFET N Channel 150 Volt 4A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFB4115PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 150V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET, 150V, 104A, 11 mOhm, 77 nC Qg, TO220AB
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 150V, 104A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:104A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFB4115PBF.
MOSFET, N-CH 150V 104A TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:104A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFB4115
  • IRFB4115PBF.
  • SP001565902