Infineon IRF9520NSTRLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-04-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF9520NSTRLPBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -6.8A, 480 MOHM, 18 NC QG, D2-PAK
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:48W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-6.8A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:3.8W; Pulse Current Idm:27A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:-20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage100 V
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rise Time47 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité