onsemi FDS6898A
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-21
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN2028USS-13
1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A,4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6898A fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
Dual N-Channel 20 V 14 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.4A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation Pd: 2W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Continuous Drain Current Id, N Channel: 9.4A; Current Id Max: 9.4A; Drain Source Voltage Vds, N Channel: 20V; Module Configuration: Dual; On Resistance Rds(on), N Channel: 0.01ohm; Operating Temperature Min: -55°C; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 20V; Voltage Vgs Max: 1V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5V
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Current Rating9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.821 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage500 mV
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité