Infineon IRF8301MTRPBF

Single N-Channel 30 V 1.5 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Farnell
2
IRF8301MTRPBF3 9631Cut Tape
7h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IRF8301MTRPBF3 6821Tape & Reel
9h
Win SourceWS-IRF8301MTRPBF3 68223
9h
Worldway ElectronicsIRF8301MTRPBF13 4507Tape & Reel
7h
Fmall Co., LimitedIRF8301MTRPBF48 400
6d

Fiches techniques et documents

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Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-03-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31

Pièces détachées

onsemiFDMS7560S
N-Channel 25 V 30 A 0.00145 ohm SMT PowerTrench SyncFET Mosfet Power 56
Détails
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Détails
onsemiFDMS2506SDC
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin PQFN T/R
Détails
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
Détails
onsemiFDMS7558S
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R
Détails
InfineonIRFH7914TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF8301MTRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 30 V 1.5 mOhm 51 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Future Electronics
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MT package rated at 34 amperes optimized with low on resistance., DIRECTFET, RoHS
Infineon SCT
2.8W(Ta),89W(Tc) 20V 2.35V@ 150¦ÌA 77nC@ 4.5 V 1N 30V 1.5m¦¸@ 32A,10V 34A,192A 6.14nF@15V WDSON-5 , 6.35mm*5.05mm*700¦Ìm
UnikeyIC
switching or high current switch (Power Tool); Low Conduction and Switching Losses; Compatible with existing Surface Mount Techniques; StrongIRFET
SHENGYU ELECTRONICS
MOSFET, N CH, 30V, 192A, DIRECTFET MT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:192A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

element14 APAC
TME
LZChips
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF8301M
  • SP001555752