onsemi FDMS2506SDC
$ 1.586
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4210TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS2506SDC fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin PQFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 25V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
N CH MOSFET, 25V, 39A, 8-PWR56; Transist; N CH MOSFET, 25V, 39A, 8-PWR56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; No. of Pins:8
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.945 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Elements1
Power Dissipation89 W
Rds On Max1.45 mΩ
Rise Time7.4 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité