Infineon IRF7910TRPBF
$ 0.636
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7910TRPBF | 1 | 23h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7910TRPBF | 0 | 10 | Bulk | 12h | |||||||
| Farnell | IRF7910TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 22h | |||||||
| HQonline | DS0102654 | 5 | 1 | >1w | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7910TRPBF | 17 480 | 95 | 23h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7220TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -14V;RDS(ON) 0.0082Ohm;ID +/-11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7805TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7910TRPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 12V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2W;-55deg
Single N-Channel 12 V 15 mOhm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 12V 10A 8-Pin SOIC T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 12V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:12V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité