Diodes Inc. DMS3014SSS-13
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2019-08-05
LTD Date2020-02-05
Pièces détachées
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7807ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMS3014SSS-13 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 10.4A 8-Pin SO T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
MOSFET,+SCH,N CH,30V,11A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.55W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.4A; Power Dissipation Pd:1.55W; Voltage Vgs Max:12V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.296 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.55 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.55 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time24.4 ns
Turn-Off Delay Time33.1 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité