Infineon IRF7862PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 3.7MILLIOHMS; Id 21A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 16 ans
Datasheet10 pagesIl y a 16 ans

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Modèles CAO

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.682
Stock
99,022
1,030,070
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
21 A
21 A
Threshold Voltage
5.4 V
-
Rds On Max
3.7 mΩ
3.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
4.09 nF
4.09 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRF8734PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
onsemiFDS6699S
N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8788PBF
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
onsemiFDS8670
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 18A, 4mΩ

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7862PBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:30nC; Current Id Max:21A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:170A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.35V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001555698