Infineon IRF7473TRPBF

Name: Infineon IRF7473TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7473TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 22MILLIOHMS; Id 6.9A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20

$ 0.657

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF7473TRPBF	74 878					0,791	0,657	0,585	1d
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7473TRPBF	0	4K	Bulk					1,793	17h
Farnell	2	IRF7473TRPBF	0	1	Cut Tape	2,222*	2,222*	2,222*	2,222*	2,222*	23h
Microchip USA		IRF7473TRPBF	2 855	600					1,728	1,728	18h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF7473TRPBF	3 460	1	Tape & Reel	1,653	1,653	1,653	1,653	1,653	1d

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 21 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-11-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

Pièces détachées

InfineonIRF7495TRPBF

Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

Détails

VishaySI4056DY-T1-GE3

MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra

Détails

InfineonIRF7490TRPBF

Single N-Channel 100V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

InfineonIRF7488TRPBF

Single N-Channel 80 V 29 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

VishaySI4100DY-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R

Détails

VishaySI7456DDP-T1-GE3

VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7473TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 26 mOhm 61 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 100V, 6.9A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.9A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.9A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Images

International Rectifier

iiiC

Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SP001555418

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSO

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.9 A

Current Rating6.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance26 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Fall Time11 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.18 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance26 mΩ

Package Quantity4000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max26 mΩ

Rise Time20 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time29 ns

Turn-On Delay Time24 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height1.75 mm

Length4.9784 mm

Width3.9878 mm

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 21 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans