Infineon IRF6712STRPBF
$ 1.126
Obsolete
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Pièces détachées
onsemiNTD4858NAT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.2A Ta 73A Tc 13.6A 2W 25V
STMicroelectronicsSTD95N2LH5
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 3.8 Mohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD95N2LH5
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF6712STRPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 25 V 4.9 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R / MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 25V, 17A, DirectFET SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max4.9 mΩ
Resistance4.9 MΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height700 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité