Infineon IRF640NLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-06-30
Pièces détachées
InfineonIRFZ44NLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO262 "N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262"
InfineonIRF540NLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-262;PD 130W;VGS +/-2
InfineonIRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262 "P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262"
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF640NLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-262;PD 150W;VGS +/-20V
Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
MOSFET N-CH 200V 18A TO262 N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
N Channel Mosfet, 200V, 18A, To-262; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF640NLPBF
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance150 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rds On Max150 mΩ
Resistance150 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité