Infineon IRF6218PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-08-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Pièces détachées
InfineonIRFB5615PBF
150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF6218PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 120 Milliohms;ID -27A;TO-220AB;PD 250W
Single P-Channel 150 V 150 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SMPS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-27A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-5V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-27A; Package / Case:3-TO-220AB; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vds Typ:-150V; Voltage Vgs Max:-5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Current Rating-27 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Dual Supply Voltage-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance150 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation250 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-5 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité