Infineon IRFB5615PBF

150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
$ 0.612
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow Electronics
2
IRFB5615PBF6 0251
Future Electronics
2
IRFB5615PBF35050Tube
RutronikTMOSP121367 50050
13h
Rochester ElectronicsIRFB5615PBF521
6h
DigiKey448-IRFB5615PBF-ND1 2721Tube

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRFB5615PBF.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 17 ans
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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

InfineonIRFB4615PBF
IRFB4615PBF N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB
Détails
onsemiFDP3672
Trans MOSFET N-CH 105V 5.9A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
onsemiNTP35N15G
150 V, 37 A, 50 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, TO-220
Détails
InfineonIRF3415PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
Détails
onsemiFDP2572
Trans MOSFET N Channel 150 Volt 4A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
onsemiHUFA75842P3
43 A 150 V 0.042 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFB5615PBF fournies par ses distributeurs.

150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 150 V 39 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 144 W
Distrelec
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 150V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET DIG AUDIO CLASS D 150V TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; On State Resistance:39mohm; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; Case Style:TO-220AB; Cont Current Id:21A; Max Voltage Vgs th:20V; Power Dissipation Pd:144W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Typ Voltage Vds:150V; Typ Voltage Vgs th:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Farnell
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

Infineon
Augswan
RS
TME
element14
iiiC
Distrelec
LZChips
UTSource
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFB5615
  • IRFB5615PBF.
  • SP001575534