Infineon IRF5210PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-220AB;PD 130W;-55deg
InfineonIRF1310NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRL540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;TO-220AB;PD 140W;VGS +/-16V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF5210PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB P-Channel 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 200 W
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Infineon P-Ch MOSFET HEXFET, Vds=100V 40A TO-220AB TH 3-Pin
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Pow
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating-40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Dual Supply Voltage-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max60 mΩ
Recovery Time260 ns
Resistance60 mΩ
Rise Time86 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time79 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité