Infineon IRF1310NPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-220AB;PD 130W;-55deg
InfineonIRF540ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF1310NPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 160 W
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N Channel Mosfet, 100V, 42A, To-220Ab; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:42A; On Resistance Rds(On):0.036Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance36 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Rds On Max36 mΩ
Recovery Time270 ns
Rise Time56 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité