Infineon IRF4104SPBF
$ 1.01
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF4104SPBF | 50 354 | 19h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF4104SPBF | 0 | 600 | Bulk | 12h | |||||||
| Farnell | IRF4104SPBF | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Mouser | 942-IRF4104SPBF | 52 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | IRF4104SPBF | 1 130 | 3K | Tube | 12h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -62.35%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF4104SPBF.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRF4104SPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Pièces détachées
InfineonAUIRF4104S
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
InfineonIPB80N04S404ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIPB80N04S306ATMA1
40V, N-Ch, 5.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF4104SPBF fournies par ses distributeurs.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 120 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak
MOSFET, N Ch., Automotive, 40V, 120A, 5.5 MOHM, 68 NC QG, D2-PAK, Pb-Free
Single N-Channel 75 V 5.5 mOhm 68 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 140 W
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:120mJ; Capacitance Ciss Typ:3000pF; Current Id Max:75A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:470A; Reverse Recovery Time trr Typ:23ns; SMD Marking:F4104; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -62.35%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation140 W
Rds On Max5.5 mΩ
Recovery Time35 ns
Resistance5.5 MΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF4104SPBF.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité