onsemi FDB8444
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-02-21
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF4104SPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB170NF04
Automotive-grade N-channel 40 V, 4.4 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
InfineonIPB80N04S4L04ATMA1
40V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N04S306ATMA1
40V, N-Ch, 5.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB8444 fournies par ses distributeurs.
Transistor,mosfet,n-Channel,40V V(Br)Dss,70A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB8444
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 5.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 40 V 9.9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 9.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.035 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation167 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 MΩ
Rise Time78 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height5.08 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité