Infineon IRF1010EZSPBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Obsolete
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Fiches techniques et documents

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IHS

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Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

Components Direct

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 1.22
$ 1.22
Stock
35,857
63,607
63,607
Authorized Distributors
1
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
2 V
Rds On Max
8.5 mΩ
8.5 mΩ
8.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
2.81 nF
2.81 nF
2.81 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-09-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
InfineonIRF1018ESPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20
InfineonIRFS3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 80A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB80NF55-06T4
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 40 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB140NF55T4
N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A D2PAK STRIPFET II MOSFET

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF1010EZSPBF fournies par ses distributeurs.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 60V, 84A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:75A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.11°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:8.5mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:340A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:60V; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001561480