Infineon IR2011SPBF

Tube IR2011SPBF High-Side or Low-Side 1996 gate driver 50ns -40C~150C TJ 1A 1A 625mW
$ 0.912
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIR2011SPBF9821
Arrow Electronics
3
IR2011SPBF3 7551
Rochester ElectronicsIR2011SPBF833
1d
DigiKeyIR2011SPBF-ND4 7511Tube
RS (Formerly Allied Electronics)IR2011SPBF05Bulk
2h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IR2011SPBF.

IHS

Datasheet18 pagesIl y a 11 ans

SHENGYU ELECTRONICS

TME

Newark

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIR2011SPBF
InfineonIR2011STRPBF
Price @ 1000
$ 0.912
$ 0.963
Stock
445,399
788,836
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
SOP
SOP
Number of Pins
8
8
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Max Output Current
1 A
1 A
Rise Time
35 ns
50 ns
Fall Time
20 ns
35 ns
Min Supply Voltage
10 V
10 V
Max Supply Voltage
20 V
20 V
Max Power Dissipation
625 mW
625 mW

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonAUIRS2181STR
Tape & Reel (TR) AU842992 Half-Bridge 2000 gate driver 60ns -40C~150C TJ 1.9A 2.3A 625mW
Détails
onsemiNCP5109ADR2G
85ns 2 10V 170ns 20V 800mV,2.3V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N 35ns 250mA,500mA SOIC-8 , 1.5mm
Détails
InfineonIRS2608DSPBF
Tube IRS2608DSPBF Half-Bridge 1996 gate driver 220ns 125C 200mA 350mA 625mW
Détails
InfineonIRS2607DSTRPBF
High Voltage, High Speed Power Mosfet And Igbt Driver With Independent High Side, SOIC 8N, RoHS
Détails
MicrochipMIC4124YME
Tube MIC4124 Low-Side 2004 gate driver 35ns -40C~125C TJ 3A 3A 0.8V 2.4V
Détails
MicrochipMIC4123YME
DRIVER, MOSFET, DUAL, 3A, 8SOIC; Device Type:Low Side; Module Configuration:Inve
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IR2011SPBF fournies par ses distributeurs.

Tube IR2011SPBF High-Side or Low-Side 1996 gate driver 50ns -40C~150C TJ 1A 1A 625mW
Fly-Wing Technology
High and Low Side Driver; Low Dropout; 8-Lead SOIC; 0.625 W (Package)
RS (Formerly Allied Electronics)
IR2011 Series 200 V 1 A 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8N
Future Electronics
MOSFET and Power Driver 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Avnet Japan
200 V High and Low Side Driver IC with typical 1 A source and 1 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.
Infineon
DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, 2011, SOIC8; Driver Configuration: High Side and Low Side; Peak Output Current: 1A; Supply Voltage Min: 10V; Supply Voltage Max: 20V; Driver Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Input Delay: 80ns; Outp
Farnell
MOSFET Driver IC; Device Type:MOSFET; Output Voltage:200V; Supply Voltage Max:20V; Termination Type:SMD; Package/Case:8-SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Delay Matching:20ns; Fall Time, tf:20ns ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Infineon
TME
RS
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
Farnell
Augswan
Future Electronics
reichelt
International Rectifier
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IR2011SPBF.
  • IR2011SPBF..
  • IRFIR2011SPBF
  • SP001539074