Infineon IPP65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 3.06
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPP65R110CFDXKSA1400
23h
FarnellIPP65R110CFDXKSA14921
23h
Microchip USAIPP65R110CFDXKSA133350Tube
7d
VericalIPP65R110CFDXKSA140084
Win SourceWS-IPP65R110CFDXKSA1208
1d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet20 pagesIl y a 14 ans

TME

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPP65R110CFDXKSA1
InfineonIPP65R110CFDAAKSA1
Price @ 1000
$ 3.06
$ 3.16
Stock
38,047
219,966
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
110 mΩ
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
3.24 nF
3.24 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Détails
STMicroelectronicsSTP45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
Détails
InfineonIPP65R095C7XKSA1
128W 20V 4V 45nC@ 10V 1N 650V 95m¦¸@ 10V 24A 2.14nF@ 400V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Détails
STMicroelectronicsSTP38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
Détails
STMicroelectronicsSTP34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
Détails
InfineonIPP60R099CPXKSA1
255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@ 10 V 1N 600V 99m¦¸@ 18A,10V 31A 2.8nF@100V TO-220,TO-220-3 9.45mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPP65R110CFDXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
277.8W(Tc) 20V 4.5V@1.3mA 118nC@ 10 V 1N 700V 110m¦¸@ 12.7A,10V 31.2A 3.24nF@100V TO-220 4.57mm
UnikeyIC
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Mosfet, N-Ch, 650V, 31.2A, 277.8W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:31.2A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP65R110CFDXKSA1
Newark
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Images

element14 APAC
TME
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000895226