Infineon IPP045N10N3GXKSA1

100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
$ 1.18
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
85X60381451
1d
NewarkIPP045N10N3GXKSA14541
Future Electronics
2
IPP045N10N3GXKSA170050Tube
Arrow Electronics
3
IPP045N10N3GXKSA17 7401
RutronikTMOS13041 75050
9h

Fiches techniques et documents

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Newark

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPP037N08N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Through Hole
Détails
onsemiFDP045N10A-F102
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Détails
onsemiFDP054N10
N-Channel 100 V 5.5 mO 203 nC Flange Mount PowerTrench® Mosfet - TO-220AB
Détails
STMicroelectronicsSTP165N10F4
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Détails
InfineonIPP034N08N5AKSA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 167W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP034N08N5AKSA1
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPP045N10N3GXKSA1 fournies par ses distributeurs.

100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
100 A 100 V 0.0045 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V Rohs Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 137 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 4.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 59 / Turn-OFF Delay Time ns = 48 / Turn-ON Delay Time ns = 27 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 214
Distrelec

Images

Augswan
Farnell
TME
Micros
Distrelec
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPP045N10N3 G
  • IPP045N10N3-G
  • IPP045N10N3G
  • IPP045N10N3GXKSA1.
  • SP000680794