Infineon IPL65R099C7AUMA1

Trans Mosfet N-ch 650V 21A 4-PIN Vson Ep T/r
$ 2.523
Production
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPL65R099C7AUMA12 370
18h
DigiKey
3
448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND8 2061Cut Tape
AvnetIPL65R099C7AUMA103K
3d
Future Electronics
2
IPL65R099C7AUMA103KTape & Reel
Arrow ElectronicsIPL65R099C7AUMA103K

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTL45N65M5
N-channel 650 V, 0.075 Ohm typ., 22.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Détails
STMicroelectronicsSTL34N65M5
N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
Détails
STMicroelectronicsSTB35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
InfineonIPL65R130C7AUMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP
Détails
InfineonIPB65R095C7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTF40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Détails
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Détails
InfineonIPW60R099CPFKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
InfineonIPW65R095C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Through Hole
Détails
STMicroelectronicsSTB38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPL65R099C7AUMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
Verical
128W 20V 4V 45nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 21A 2.14nF@ 400V SON , 8mm*8mm*1.1mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Win Source
N-CH 650V 21A 88mOhm ThinPAK8x8
Rutronik
Mosfet, N-Ch, 650V, 21A, 128W, Vson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.088Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPL65R099C7AUMA1
Newark
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Infineon

Images

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RS APAC
TME
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPL65R099C7
  • SP001032722