Infineon IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R / Very high commutation ruggedness
$ 0.74
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPL60R360P6SATMA1240 819
23h
DigiKey
3
IPL60R360P6SATMA1CT-ND5 9301Cut Tape
Newark
2
IPL60R360P6SATMA105Cut Tape
Future Electronics
2
IPL60R360P6SATMA105KTape & Reel
AvnetIPL60R360P6SATMA105K
2d

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTD16N60M2
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Détails
STMicroelectronicsSTB18N60DM2
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Détails
onsemiFCD9N60NTM
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 9 A, 385 mΩ, DPAK
Détails
VishaySIHB12N60E-GE3
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
onsemiFCD380N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 10.2 A, 380 mΩ, DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPL60R360P6SATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R / Very high commutation ruggedness
Win Source
Transistor MOSFET N-CH 600V 11.3A 5-Pin SMD T/R
Avnet
89.3W 20V 4.5V 22nC@ 10V 600V 360m¦¸@ 10V 11.3A 1.01nF@ 100V TSON-8-EP
UnikeyIC
N-CH 600V 11,3A 360mOhm TPAK5x6
Rutronik
Infineon MOSFET IPL60R360P6SATMA1
RS APAC
The new CoolMOS™ ThinPAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs, PG-TSON-8, RoHS
Infineon SCT
IPL60R360 - 600V COOLMOS N-CHANN
DigiKey Marketplace
Mosfet, N-Ch, 600V, 11.3A, Smd-5; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPL60R360P6SATMA1
Newark
The new CoolMOS ThinPAK 5x6 is a leadless SMD package especially designed for high voltage MOSFETs. This new package has a very small footprint of 5x6mm 2 and a very low profile with only 1mm height. | Summary of Features: Small footprint (5x6mm); Low profile (1mm); Low parasitic inductance; RoHS compliant; Halogen free mold compound | Benefits: Reduced board space consumption; Increased power density; Short commutation loop; Easy to use products; Environmentally friendly | Target Applications: Adapter; Consumer; Lighting
Infineon

Images

Farnell
Augswan
Farnell
LZChips
Farnell
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPL60R360P6S
  • SP001163030