Infineon IPI075N15N3GXKSA1

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET / N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
$ 2.652
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIPI075N15N3GXKSA13931
DigiKeyIPI075N15N3GXKSA1-ND2601Tube
Rochester ElectronicsIPI075N15N3GXKSA1385 000
21h
AvnetIPI075N15N3GXKSA10500
1d
Future Electronics
2
IPI075N15N3GXKSA10500Tube

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPI075N15N3GXKSA1.

_legacy Avnet

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans

IHS

element14 APAC

iiiC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-0.03%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPI075N15N3GXKSA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Pièces détachées

InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Détails
STMicroelectronicsSTB80NF55-06-1
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
Détails
InfineonIPI076N12N3GAKSA1
Mosfet, N-Ch, 120V, 100A, To-262 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1
Détails
InfineonIPP80N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 / N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Détails
STMicroelectronicsSTB80NF55L-08-1
N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Détails
STMicroelectronicsSTB60NF10-1
Power MOSFET Transistors N Ch 100V 0.019Ohm 80A
Détails
InfineonIPI111N15N3GAKSA1
Mosfet, N-Ch, 150V, 83A, To-262 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1
Détails
InfineonIPI041N12N3GAKSA1
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Détails
onsemiFQI5N15TU
MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
Détails
onsemiFQI15P12TU
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Détails
onsemiFQI32N12V2TU
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPI075N15N3GXKSA1 fournies par ses distributeurs.

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET / N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-262, Through Hole
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Semicontronic
150V 100A 6.2m´Î@10V100A 300W 3V@270uA 10pF@75V N Channel 5.47nF@75V 70nC@0~10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) PG-TO262-3 MOSFETs ROHS
Dasenic
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Infineon
MOSFET, N CH, 100A, 150V, PG-TO262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):6.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; Current Id Max:100A; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 120 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 46 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-262 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 300
Distrelec

Images

Augswan
element14 APAC
TME
LZChips
Future Electronics
UTSource
iiiC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPI075N15N3 G
  • IPI075N15N3-G
  • IPI075N15N3G
  • IPI075N15N3GHKSA1
  • SP000680676