STMicroelectronics STB80NF55-06-1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Pièces détachées
InfineonIPI80N06S207AKSA2
55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI80N04S404AKSA1
40V, N-Ch, 4.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
onsemi2SK4066-1E
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
InfineonIPI80N06S2L05AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 / N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STB80NF55-06-1 fournies par ses distributeurs.
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK / Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STB80NF55-06-1
80 A 55 V 0.0065 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Automotive Power Discrete, 55V, 80A, I2PAK, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant