Infineon IPD60R650CEAUMA1

Mosfet, N-Ch, 600V, 9.9A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1
$ 0.38
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD60R650CEAUMA13 5405Cut Tape
Rochester ElectronicsIPD60R650CEAUMA123 328
16h
DigiKey
2
448-IPD60R650CEAUMA1CT-ND1 4751Cut Tape
AvnetIPD60R650CEAUMA102500
2d
Future Electronics
2
IPD60R650CEAUMA102500Tape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

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Infineon

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSS127H6327XTSA2
Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Détails
InfineonIPN60R2K1CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Détails
InfineonBSP125H6327XTSA1
Single N-Channel 600 V 45 Ohm 4.5 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
Détails
onsemiFQD1N60CTM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package
Détails
Diodes Inc.BSS127S-7
Single N-Channel 600 V 190 Ohm 1.08 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60R650CEAUMA1 fournies par ses distributeurs.

Mosfet, N-Ch, 600V, 9.9A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1
Newark
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N-CH, 600V, 9.9A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
element14 APAC
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV
Infineon

Images

Augswan
element14 APAC
TME
RS
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60R650CE
  • SP001396884