Infineon IPD60R400CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R400CEAUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD60R400CEAUMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.489

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD60R400CEAUMA1	4 773	1	Cut Tape	1,790	1,200	0,849	0,655	0,655
Arrow Electronics	2	IPD60R400CEAUMA1	4 920	1		0,420	0,420	0,420	0,420	0,420
Rutronik		TMOS1147	2 500	2500						0,391	2h
Rochester Electronics		IPD60R400CEAUMA1	1 690					0,501	0,416	0,371	19h
DigiKey	3	IPD60R400CEAUMA1CT-ND	17 131	1	Cut Tape	1,660	1,049	0,699	0,500	0,500

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Datasheet17 pagesIl y a 0 an

Infineon

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-09-25

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSS127H6327XTSA2

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23

Détails

InfineonIPN60R2K1CEATMA1

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount

Détails

InfineonBSP125H6327XTSA1

Single N-Channel 600 V 45 Ohm 4.5 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223

Détails

onsemiFQD1N60CTM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK

Détails

onsemiFQD2N60CTM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK

Détails

STMicroelectronicsSTN1NK60Z

N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60R400CEAUMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

112W 20V 3.5V 32nC@ 10V 2N 650V 400m¦¸@ 10V,3.8A 14.7A 700pF@100V TDSON-8,TO-252

UnikeyIC

IPD60R400CE Series 600 V 14.7 A 0.4 Ohm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3

Future Electronics

600V 14.7A 400m惟@10V,3.8A 112W 3.5V@300uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

Fmall Co., Limited

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Infineon MOSFET IPD60R400CEAUMA1

RS APAC

Very high commutation ruggedness

Win Source

IPD60R400 - 600V COOLMOS N-CHANN

DigiKey Marketplace

MOSFET, N-CH, 600V, 14.7A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14.7A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 112W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CE Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Infineon

Images

Augswan

element14 APAC

LZChips

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :