Infineon IPD60R1K5CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
$ 0.271
NRND
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Prix et stock

Fiches techniques et documents

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Infineon

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 0.271
$ 0.281
Stock
686,792
73,793
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
28 W
49 W
Input Capacitance
-
200 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Surface Mount
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package
Diodes Inc.BSS127S-7
Single N-Channel 600 V 190 Ohm 1.08 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.BSS127SSN-7
Mosfet, N-Ch, 600V, 0.05A, Sc-59 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS127SSN-7

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60R1K5CEAUMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 600V, 5A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):1.26Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60R1K5CE
  • SP001396902