Infineon IPD530N15N3GATMA1

OptiMOS3 Power-Transistor / Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 0.634
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
79X14373741
1d
Newark
2
IPD530N15N3GATMA13741Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPD530N15N3GATMA12 2191
Rochester ElectronicsIPD530N15N3GATMA151 431
9h
DigiKey
3
IPD530N15N3GATMA1CT-ND3 3961Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD530N15N3GATMA1.

IHS

Datasheet12 pagesIl y a 12 ans

Newark

_legacy Avnet

iiiC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+5.74%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD530N15N3GATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Pièces détachées

InfineonIRFR24N15DTRPBF
Single N-Channel 150 V 95 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Détails
InfineonIRFR24N15DPBF
Single N-Channel 150 V 95 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
InfineonIRFR18N15DTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Détails
onsemiFDD2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
Détails
onsemiFDD120AN15A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Détails
onsemiFDD120AN15A0-F085
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD530N15N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

OptiMOS3 Power-Transistor / Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Win Source
68W 20V 4V 8.7nC@ 10V 150V 53m¦¸@ 10V 667pF@ 75V TO-252 2.41mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
MOSFETs; IPD530N15N3 G; INFINEON TECHNOLOGIES
Maritex
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Infineon

Images

iiiC
TME
element14 APAC
Farnell
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD530N15N3 G
  • IPD530N15N3G
  • IPD530N15N3GBTMA1
  • IPD530N15N3GXT
  • SP000521720
  • SP001127830