Infineon IPD50N04S4L08ATMA1

Name: Infineon IPD50N04S4L08ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50N04S4L08ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.349

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

Voir tous les prix

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD50N04S4L08ATMA1	22 753	5	Cut Tape		1,260	1,260	1,260	1,260
Arrow Electronics	2	IPD50N04S4L08ATMA1	1 700	1		0,330	0,330	0,330	0,330	0,330
Rochester Electronics		IPD50N04S4L08ATMA1	58 306					0,358	0,297	0,265	23h
DigiKey	3	IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND	13 324	1	Cut Tape	1,300	0,817	0,538	0,379	0,379
Avnet		IPD50N04S4L08ATMA1	0	2500						0,245	2d

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : -5.28%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

0 composant disponible

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD50N04S4L08ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 4 ans

Datasheet9 pagesIl y a 16 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:

-5.28%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD50N04S4L08ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCE	ECAD	MCAD	FICHIERS
Component Search Engine	SymboleEmpreinte	3D	Télécharger
EE Concierge	SymboleEmpreinte

Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.

En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-04-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Détails

onsemiFDD8453LZ-F085

N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 6.5mΩ

Détails

InfineonIPD50N03S2L06ATMA1

30V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Détails

InfineonIPD50N03S207ATMA1

30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Détails

InfineonIRFR3707PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W

Détails

VishaySIS434DN-T1-GE3

Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD50N04S4L08ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

40V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N04S4L08ATMA1

Newark

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

Infineon

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L08
SP000711456

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : -5.28%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

0 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Drain to Source Resistance7.3 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Fall Time18 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.34 nF

Max Dual Supply Voltage40 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation46 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance10.5 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation46 W

Rds On Max7.3 mΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time4 ns

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD50N04S4L08ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 4 ans

Datasheet9 pagesIl y a 16 ans

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

RatingsAEC-Q101

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A