STMicroelectronics STD47N10F7AG
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMTH8012LK3-13
MOSFET N-CH 80V 50A TO252 / N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
InfineonIRFR4510TRPBF
TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
InfineonIPD50N10S3L16ATMA1
100V, N-Ch, 15 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIRFR4510PBF
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive; Lighting LED
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD47N10F7AG fournies par ses distributeurs.
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
60W(Tc) 10V 4.5V@250µA 25nC@10V 1 N-Ch 100V 18mΩ@22.5A,10V 45A 1.64nF@50V DPAK SMD 2.63mm H
Trans MOSFET N-CH 100V 45A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-channel MOSFET, 100V, 47A, TO-220 package, STM
Automotive Power Discrete, 100V, 45A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET, TO-252
DPAK MOSFET 100V 0.016OHM AUTO
DPAK/AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 100 V; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 45A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation60 W
Rds On Max18 mΩ
Schedule B8541290080
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant