Infineon IPD068P03L3GATMA1

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.494
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD068P03L3GATMA1.

Newark

Datasheet9 pagesIl y a 11 ans

_legacy Avnet

element14 APAC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-1.57%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD068P03L3GATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

Single N-Channel 30 V 5.8 mOhm 23 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
InfineonIRLR8726PBF
Single N-Channel 30 V 5.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.2Milliohms;ID 86A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
onsemiFDD6606
N-Channel 30V 75A (Ta) 71W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
onsemiFDD6676AS
; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
onsemiFDD8876
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 73A, 8.2mΩ

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD068P03L3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET Devices; INFINEON; IPD068P03L3GATMA1; -30 V; 70 A; 100 W; 5 mOhm
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -70A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.5V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS P3 Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Infineons highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. | Summary of Features: Enhancement mode; Avalanche rated; Pb-free lead plating; RoHS compliant; Small Signal packages approved to AEC Q101 | Target Applications: Automotive; Consumer; DC-DC; eMobility; Motor control; Notebook; Onboard charger

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD068P03L3 G
  • IPD068P03L3G
  • IPD068P03L3GATMA1.
  • IPD068P03L3GBTMA1
  • IPD068P03L3GXT
  • SP000472988
  • SP001127838