Infineon IPB90N06S4L04ATMA2

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 1.109
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB90N06S4L04ATMA21 3851Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB90N06S4L04ATMA21 0001
Rochester ElectronicsIPB90N06S4L04ATMA21 464
19h
DigiKey
3
448-IPB90N06S4L04ATMA2CT-ND3 8121Cut Tape
Future ElectronicsIPB90N06S4L04ATMA201KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-01
LTD Date2017-06-01

Pièces détachées

onsemiFDB86566-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
Détails
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
Détails
Diodes Inc.DMTH6004SCTBQ-13
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Détails
InfineonIPB031NE7N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
InfineonIPB80N06S4L07ATMA2
60V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB90N06S4L04ATMA2 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
60V, N-Ch, 3.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Verical
N-Channel 60 V 3.4 mOhm 170 nC OptiMOS®-T2 Power-Transistor -PG-TO263-3-2
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V; Power Dissipation:150W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB90N06S4L04ATMA2.
Newark
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Images

Farnell
RS
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB90N06S4L-04
  • IPB90N06S4L04
  • IPB90N06S4L04ATMA1
  • IPB90N06S4L04ATMA2.
  • SP000415574
  • SP001028756